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?GTVA101K4 L波長效率增加器CREE

發布信息時:2023-09-13 16:58:47     瀏覽記錄:1246

CREE的GTVA101K4是款精心設計的高效率GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益和寬帶寬性能。從而使得GTVA101K4特別適合0.96–1.4GHz頻率段的應用。GTVA101K4晶體管適合于從UHF到1.4GHz的特殊頻率段技術應用。

顯著特點

輸人配適

分類的輸入脈沖連繼波性能方面;960–1215MHz;50V;雙層結構;128μs輸入脈沖大小;10%pwm占空比;P3dB=1400W時的的輸出工率;運作的效率=68%;收獲值=17dB

無鉛并夠滿足RoHS準則

廣泛應用各個領域

雷達探測調大器

CREE(科銳)確立于1987年,CREE科銳符合30十多年的帶寬GAP鋼筋取樣料和改革創新設備,CREE科銳有的是個刪改的構思協作盟友,復合頻射的需求分析,CREE科銳為行業內人士技術水平領先地位的刷卡機設備供應更強的工作電壓和更低的基本功能衰減。CREE科銳由最剛剛開始的GaN基本的材質材料LED車輛技能更優全全球,到微波通信rf射頻與厘米波電源芯片車輛,CREE科銳于2017年區分出微波微波射頻微波射頻茶葉品牌Wolfspeed,以移動寬帶、大電機功率調小器護膚品為少數民族特色。

上海市立維創展科技開發是CREE的生產商商,占有CREE微波通信電子器件的優勢訂貨推廣渠道,并常期庫存量現貨黃金,以便中國國家的市場消費需求。

商品詳情理解CREE頻射紅外光請點擊事件://www.zhixianguangzhou.com.cn/brand/35.html

CREE (21).png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

GTVA101K42EV-V1

GaN on SiC

0.96 GHz

1.4 GHz

1400 W

17 dB

68%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Bolt Down

LTN/GTVA101K42EV-V1

GaN on SiC

0.96 GHz

1.4 GHz

1400 W

17 dB

68%

50 V

Packaged Discrete Transistor

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