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?GTVA12600汽車雷達放縮器CREE

發布了事件:2023-06-08 16:49:38     網頁瀏覽:1189

CREE雷達放大器GTVA126001EC和GTVA126001FC是600瓦GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT),適用于1200至1400MHz頻率段。GTVA12600具備輸入適配性能;高效化;和熱強化包。

特征英文

投入自適應

較為常見的單激光脈沖CW性能指標(AB類);1200MHz;50伏;300μs電磁頻繁;10%pwm占空比;所在馬力(P3dB)=600W;閉式引流效果=65%;收獲值=18dB

不錯在單脈沖信號壞境下,以600W導出功效牽引帶10:1裝載失諧(各種相位差):300μs脈沖造成的頻繁 ;10%pwm占空比;VDD=50V;IDQ=100mA

中國女模建模 1C類(利用AnSI/ESDA/JEDECJS-001)

無鉛并符合標準RoHS規則規定標準

APP

預警雷達增加器

CREE(科銳)注冊成立于1987年,CREE科銳兼具30常年的寬帶網GAP原料料和技術創新食品,CREE科銳一個詳細完整的設汁公司合作加盟商,適合rf射頻的標準,CREE科銳為行業界技能優勢的機器人設施設備展示 更強的工作功率和更低的職能消耗。CREE科銳由最剛剛開始的GaN基本的材質材料LED成品系統遙遙領先全世間,到紅外光微波射頻與分米波基帶芯片成品,CREE科銳于2017年區分出徽波微波射頻公司Wolfspeed,以寬帶網、大電功率放縮器產品為上海特色。

山東市立維創展網絡是CREE的經售商,成為CREE微波加熱電子元器件優越供貨周期方式,并太久庫存商品期貨,以供國內茶葉市場意愿。

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GTVA12600.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

GTVA126001FC-V1

GaN on SiC

1.2 GHz

1.4 GHz

600 W

20 dB

63%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Earless

GTVA126001EC-V1

GaN on SiC

1.2 GHz

1.4 GHz

600 W

20 dB

63%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Bolt Down


選擇方式
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