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發布了事件:2023-06-08 16:49:38 網頁瀏覽:1189
CREE雷達放大器GTVA126001EC和GTVA126001FC是600瓦GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT),適用于1200至1400MHz頻率段。GTVA12600具備輸入適配性能;高效化;和熱強化包。
特征英文
投入自適應
較為常見的單激光脈沖CW性能指標(AB類);1200MHz;50伏;300μs電磁頻繁;10%pwm占空比;所在馬力(P3dB)=600W;閉式引流效果=65%;收獲值=18dB
不錯在單脈沖信號壞境下,以600W導出功效牽引帶10:1裝載失諧(各種相位差):300μs脈沖造成的頻繁 ;10%pwm占空比;VDD=50V;IDQ=100mA
中國女模建模 1C類(利用AnSI/ESDA/JEDECJS-001)
無鉛并符合標準RoHS規則規定標準
APP
預警雷達增加器
CREE(科銳)注冊成立于1987年,CREE科銳兼具30常年的寬帶網GAP原料料和技術創新食品,CREE科銳一個詳細完整的設汁公司合作加盟商,適合rf射頻的標準,CREE科銳為行業界技能優勢的機器人設施設備展示 更強的工作功率和更低的職能消耗。CREE科銳由最剛剛開始的GaN基本的材質材料LED成品系統遙遙領先全世間,到紅外光微波射頻與分米波基帶芯片成品,CREE科銳于2017年區分出徽波微波射頻公司Wolfspeed,以寬帶網、大電功率放縮器產品為上海特色。
山東市立維創展網絡是CREE的經售商,成為CREE微波加熱電子元器件優越供貨周期方式,并太久庫存商品期貨,以供國內茶葉市場意愿。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
GTVA126001FC-V1 | GaN on SiC | 1.2 GHz | 1.4 GHz | 600 W | 20 dB | 63% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Earless |
GTVA126001EC-V1 | GaN on SiC | 1.2 GHz | 1.4 GHz | 600 W | 20 dB | 63% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |