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?SemiGen肖特基肖特基二極管

發部日期:2023-05-29 17:00:04     打開網頁:1056

SemiGen的硅肖特基電感立足于打造于40GHz連加連減系統的APP需求分析規劃。特別進行處理系統要一些輕金屬材質規劃為低、中合高隔絕系統APP展示 功能主要優勢。既定結杲是兼具須嚴格把控電容(電容器)的低電阻功率肖特基二極管,要推動最低利用率。SemiGen肖特基二級管低聊天耗損率和比較好的TSS最終得以使穩壓管擁有了工作中頻段從Sk線到Ka股票波段的偵測器/混頻器技術廣泛應用廣泛應用十分解調器、低工作電壓局限性器和髙運行速度旋鈕的最合適決定。

特性:

多結操作處理芯片

低1/F轟鳴聲

個人總結電容(電容器)

使用:

采廣泛用于混頻器、偵測器、倍頻器和氣調器。

SemiGen是新西蘭全家晶圓級頻射元件水平派開發商,從晶圓到封口元件, 項目類別很多雄厚,從航空航天級MIL-PRF 38534到軍工用MIL-PRF 19500、750和883,SemiGen堅持創新驅動于具備領航的的品質和安全性。

成都市立維創展創新科技較少工廠,許可進口代理于中區域環境業務員SemiGen食品,并作為顧客買之前和售后維修點技藝適配服務。

詳情頁詢問SemiGen請點擊事件://www.zhixianguangzhou.com.cn/brand/64.html

SemiGen.jpg

Low Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
Resistance
@ 5 mM
TYP
(Ohms)

Tangential
Signal
Sensitivity
TYP
(dB)

SLB100

3.0

0.250

0.14

20.0

-55

SLB101

3.0

0.280

0.20

20.0

-52

SLB102

3.0

0.300

0.12

20.0

-50

SLB103

3.0

0.320

0.14

20.0

-48

SLB104

3.0

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0.15

20.0

-55

SLB105

3.0

0.280

0.15

20.0

-52

SLB106

3.0

0.300

0.12

20.0

-50

SLB107

3.0

0.320

0.14

20.0

-48

SLB108

3.0

0.250

0.14

20.0

-55

SLB109

3.0

0.280

0.15

20.0

-52

SLB110

3.0

0.300

0.14

20.0

-50

SLB111

3.0

0.320

0.25

20.0

-48

SLB112

4.0

0.250

0.20

20.0

-55

SLB113

4.0

0.280

0.15

20.0

-52

SLB114

4.0

0.300

0.12

20.0

-50

SLB115

4.0

0.320

0.15

0.35

-48

Medium Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
Resistance
@ 5 mM
TYP
(Ohms)

Tangential
Signal
Sensitivity
TYP
(dB)

SMB200

3.0

0.400

0.14

20.0

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SMB201

3.0

0.400

0.20

20.0

-50

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3.0

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0.12

20.0

-48

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3.0

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0.14

20.0

-45

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4.0

0.425

0.15

20.0

-52

SMB205

4.0

0.425

0.15

20.0

-50

SMB206

4.0

0.425

0.12

20.0

-48

SMB207

4.0

0.425

0.14

20.0

-45

SMB208

4.0

0.450

0.14

20.0

-52

SMB209

4.0

0.450

0.15

20.0

-50

SMB210

5.0

0.450

0.14

20.0

-48

SMB211

5.0

0.450

0.25

20.0

-45

SMB212

5.0

0.475

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20.0

-52

SMB213

5.0

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20.0

-50

SMB214

5.0

0.475

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20.0

-48

SMB215

5.0

0.475

0.15

20.0

-45

High Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
Resistance
@ 5 mM
TYP
(Ohms)

Tangential
Signal
Sensitivity
TYP
(dB)

SHB300

5.0

0.500

0.14

25.0

-52

SHB301

5.0

0.500

0.20

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SHB302

5.0

0.500

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SHB303

5.0

0.500

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-45

SHB304

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0.525

0.15

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SHB305

5.0

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SHB306

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SHB307

5.0

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SHB308

6.0

0.550

0.14

25.0

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SHB309

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25.0

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SHB311

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SHB312

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-42

SHB315

6.0

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-40


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