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C頻譜氮化鎵 HEMT變成器CGHV1F025 CREE

發布公告用時:2022-08-17 16:53:17     搜素:956

Wolfspeed的CGHV1F025S是前所未有的;氮化鎵(GaN);高電子遷移率晶體管(HEMTs)設計的高效率;高增益和寬頻帶性能。CGHV1F025適合于L、S、C、X和KU波段放大器技術應用。數據規格基于x波段(8.9-9.6GHz)放大器。

CGHV1F025S操作在40伏高速鐵路道岔上,封裝類型在3mmx4mm;外表面的安裝;雙扁圓無接地線(DFN)芯片封裝。提高了電功率;CGHV1F025會從40V至20VVDD電壓降下使用;堅持高收獲和高效、性價比最高率。

結構特征

高達模型15GHz的控制車

25W經典打印輸出電功率

9.4GHz時11dB增加收益值

8.9–9.6GHz的技術appapp電路原理

app

L;S;C;X 和Ku中波段放縮器

CREE(科銳)開辦于1987年,CREE科銳配備30多年以來的寬帶網絡GAP原料料和轉型升級好產品,CREE科銳不是個完善的來設計合作方式伙伴們,復合頻射的實際需求,CREE科銳為行同行業技術工藝優勢的絲機機 可以提供更強的電機功率和更低的功能表消耗。CREE科銳由最原始了的GaN板材LED成品技術應用更優全游戲,到徽波頻射與直徑波電源芯片成品,CREE科銳于2017年分割出紅外光微波射頻該品牌Wolfspeed,以聯通寬帶、大電率擴大器廠品為一大特色。

南京市立維創展科學技術是CREE的經售商,有了CREE徽波元器強勢供貨商方法,并太久貨源現貨平臺,以供中國人賣場具體需求。

寶貝詳情認知CREE微波加熱射頻微波加熱請打開網頁://www.zhixianguangzhou.com.cn/brand/35.html

 CREE.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV1F025S-AMP1

GaN on SiC

8.9 GHz

9.6 GHz

25 W

11 dB

51%

40 V

Evaluation Board

Surface Mount

CGHV1F025S

GaN on SiC

DC

15 GHz

25 W

11 dB

51%

40 V

Packaged Discrete Transistor

Surface Mount

 


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