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UMS的CHA3514-99F由一級導波放縮器和四六級數字6衰減器組合構成而成。它是為了能夠國防科學科學科技應用軟件而方案的。CHA3514-99F的正面是rf射頻和交流電跨接。這有有利于促進改進使用時。

CHA3514-99F配用pHEMT營造方法，柵極厚度為0.25μm，根據柔性板的通孔、自然空氣橋和手機束柵幻影刻技術設備。以處理芯片表現形式提拱。

結構特征

能力指標英文：6-18GHz；

19dBm飽滿輸出輸出；

13dB增加收益值；

應在39.5dB動態性區域的4位衰減器；

直流電壓功用損耗量，190mA@4.5V；

電子器件大小：5.54x2.30x0.1mm；

UMS微波射頻充當歐州毫米左右波單片機芯片的代表人加盟品牌，在華燁和瑞士設有有服務業園區。UMS在全球最大依據內精致廣泛應用行業市場霸占不可替代品的位置。UMS提供數據基本概念ASIC或文件目錄貨品的合理價格行情，基本應用于公司的外部的III-V技木，并提供數據全方位的合同說明服務于，使企業還可以可以創立她的軟件很好解決工作方案。從整流電到100GHz的UMS列表產品的均針對GaAs、Gan、SiGe技木，例如到達200W的最大功率擴大器、混合著走勢能力、超高噪音分貝擴大器和詳細的發收器體系。UMS好產品以塑模狀態給予，但一般來說以多存儲芯片輸出模塊的狀態封裝形式。

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