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C股票波段CGHV1J006D-GP4 GaN HEMT單片機芯片CREE

正式發布時間間隔:2022-07-20 16:36:43     訪問 :889

CREE的CGHV1J006D是碳化硅襯底里的高壓氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);采用0.25-μm柵極尺寸的工藝技術。CGHV1J006D的GaN-on-SiC產品提供優質的高頻率高效率的特性。CREECGHV1J006D-GP4特別適合在40V和高擊穿電壓下作業在10MHz至18GHz的各種技術應用。

表現形式

17dB典例。10GHz時的小衛星信號增益控制值

60%明顯值。10GHz時的PAE

6W主要表現Psat

40伏控制

高至18GHz的控制車

軟件應用

通信設備衛星通信設備

PTP移動通訊聯系

水域統計

小型游艇聲納

港灣海船交通線安全服務

移動寬帶縮放器

高熱效率率變大器

CREE.png

CREE(科銳)揭牌于1987年,CREE科銳享有30多年以來的帶寬GAP鋼筋取樣料和企業創新好產品,CREE科銳就是個完全的規劃相互合作摯友,包含微波射頻的各種需求,CREE科銳為行行業內技術水平領跑的POS機機械設備打造更強的電率和更低的效果衰減。CREE科銳由最現在開始的GaN板材LED服務技術水平技術型全世界上最,到徽波rf射頻與公厘波電子器件服務,CREE科銳于2017年分離處理出紅外光微波射頻產品品牌Wolfspeed,以移動寬帶、大瓦數圖像電壓放大器企業產品為獨具特色。

東莞 市立維創展創新科技是CREE的零售商商,有了CREE紅外光元器主要優勢要貨分銷渠道,并繼續庫存積壓現貨黃金,以作我們賣場訴求。

內容了解到CREE徽波射頻徽波請點擊率://www.zhixianguangzhou.com.cn/brand/35.html

 

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV1J006D-GP4

GaN on SiC

DC

18 GHz

6 W

17 dB

60%

40 V

Discrete Bare Die

Die


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