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API SAW Oscillators條件頻射單片機芯片衰減器

發部期限：2022-06-22 16:22:07 查詢：991

API Tech Inmet的Powerfilm ? 芯片衰減器有兩種類型：“溫度穩定”（標準）和“溫度可變”射頻衰減器。API SAW Oscillators標準射頻衰減器W所有的溫度下均衡地降低射頻功率，而溫度可變芯片旨W降低其W高溫下的衰減系數，以提供數據信號電壓使用需要的最佳響應。API SAW Oscillators芯片衰減器適用功率放大電路、接收器、上/下轉換器、相位匹配陣列和控制開關應用。根據需要規格型號，片式射頻衰減器是W BeO、氮化鋁或氧化鋁陶瓷上生產制造的，具有薄膜或厚膜電阻器。

杭州市立維創展技術限制機構，致力API SAW Oscillators非常低相噪SAW晶振物料選擇銷量，快些2-4周交工。

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模式化	熱效率（瓦）	平率 (GHz)	工業陶瓷的基板	熱敏電阻膜	包裝設計選擇	達成首選項	長寬比（英尺）	的長度（9英寸）	高強度（5英寸）
1KNA250	250	1	氮化鋁	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.375	0.375	0.040
2KNA100	100	2.3	氮化鋁	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.350	0.225	0.040
2KNA150	150	1.9	氮化鋁	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.375	0.250	0.040
2KNA250	250	2.3	氮化鋁	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.500	0.500	0.040
3KNA100	100	3	氮化鋁	Thin	G, Tabbed	N, T, H	0.375	0.250	0.040
40PCA3060	1.0	40	防三氧化二鋁	Thin		T、H、G	0.035	0.065	0.010
KPA10	10	4	BeO	Thin	G	N, T, H	0.100	0.200	0.040
KPA100	100	0.5	BeO	Thin	G	N, T, H	0.500	0.500	0.40
KPA1020S	20	8	BeO	Thin		N,T,H,G	0.100	0.200	0.040
KPA20	20	4	BeO	Thin	G	N, T, H	0.250	0.250	0.040
KPA50	50	1	BeO	Thin	G	N, T, H	0.375	0.375	0.040
PCA	1.5	12.4	防氧化鋁粉	Thin		N、T、H、G	0.125	0.150	0.010
PCA3060	1.0	30	陽極氧化鐵	Thin		T、H、G	0.035	0.065	0.010
PCAA	0.75	18	氧化反應鋁	Thin		N、T、H、G	0.060	0.075	0.010
PCAAF	0.75	8	被氧化鐵	Thin	F	N、T、H、G	0.060	0.075	0.010
PCAAL	0.75	18	氧化物鋁	Thin	Tabbed	G、T、H	0.060	0.075	0.040
PCAAW	0.75	18	氧化的鋁	Thin	W	N、T、H、G	0.060	0.075	0.010
PCAF	1.5	4	脫色鋁	Thin	F	N、T、H、G	0.125	0.150	0.010
PCAL	1.5	12.4	陽極氧化鋁粉	Thin	Tabbed	G、T、H	0.125	0.150	0.040
PCAW	1.5	12.4	硫化鋁	Thin	W	N、T、H、G	0.125	0.150	0.010
TPA100	100	0.4	BeO	Thin	G	N, T, H	0.500	0.500	0.040

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