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XF1001-SC高線形度的Hetrojunction場負效應氯化鈉晶體管（HFET） MACOM外盤

發部時光：2018-07-12 16:10:34     預覽：1929

封裝的HFET

XF1001-SC都是款高平滑度的Hetrojunction場滯后效應氯化鈉晶體管（HFET），主要包括產業標SOT-89裝封。當電子器件偏置在8V的漏極交流電壓和300m的漏極瞬時電流時，能否構建佳耐腐蝕性。抱歉偏置點，元器就可以具備超30 dBm的P1dB和超46 dBm的OIP3。XF1001-SC適應用于于將高達6 GHz的應用，其增益控制為10 dB。

品牌 型號 描述 貨期 庫存
MACOM XF1001-SC 封裝的HFET,高線性度的Hetrojunction場效應晶體管 現貨 256


特征
  •  46.5 dBm OIP3 @ 5.8 GHz
  •  SOT-89封口
  •  30.0 dBm P1dB
  •  10.0 dB增加收益@ 6 GHz
  •  @ 2 GHz時15.5 dB增益值
應用
  •  航天科技航天科技與中國國防
  •  移動網絡上和通訊技術
車輛的規格
  • 最長率：0 MHz
  • NF：4.5 dB
  • 偏置輸出功率：8 V.
  • 增益控制：15.5 dB
  • 的輸出P1dB：30 dBm
  • OIP3：46.5 dBm
  • 偏置感應電流：300 mA
  • 明顯概率：6,000 MHz

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