亚洲一区二区三区在线-欧美一二区-欧美亚洲一区-欧美激情一区

HMC241ALP3E也是款代用型、非全反射式、100 MHz至4 GHz單刀四擲(SP4T)控制按鈕，選用砷化鎵(GaAs)工藝設備產生。該控制按鈕作為43 dB（非常典型值）的高隔離度(2 GHz)、0.7 dB的低讀取自然損耗(2 GHz)和片內端接隔離表層。 立維創展HMC241ALP3E片內電路允許HMC241ALP3E以3 V至5 V范圍內的單正電源電壓運行。此開關需要兩個正邏輯控制電壓。HMC241ALP3E內置片內二進制2:4線路解碼器，通過兩條邏輯輸入線路提供邏輯控制，便于選擇四個射頻(RF)線路中的一個。

 HMC241ALP3E采用3 mm × 3 mm、16引腳LFCSP封裝。HMC7992是此開關的硅版本，在更高頻率下具有更好的性能。若您有絲毫疑慮，請找公司都立維創展，公司都會盡非常大努力的為您保障。

HMC241ALP3E應用

• 蜂窩/4G基礎設施
• 無線基礎設施
• 汽車遠程信息處理
• 移動無線電
• 測試設備

HMC241ALP3E優勢和特點

• 寬帶頻率范圍：100 MHz至4 GHz
• 非反射式50 Ω設計
• 低插入損耗：0.7 dB（2 GHz時）
• 高隔離度：43 dB（2 GHz時）
• 高輸入線性度：250 MHz至4 GHz高功率處理能力單正電源：3 V至5 V
• 集成式2:4線路解碼器
• 16引腳、3 mm × 3 mm LFCSP封裝
• ESD額定值：250 V（1A級）
• 與HMC7992引腳兼容
• 欲了解更多特性，請參考數據手冊

HMC241ALP3E大力支持防務和航天工程航天工程選用（AQEC細則）

• 下載HMC241ATCPZ-EP數據手冊
• 軍用溫度范圍（?55℃至+125℃）
• 受控制造基線
• 唯一封裝/測試廠
• 產品變更通知
• 認證數據可應要求提供