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AMCOM離散電功率GaN HEMT微波射頻硫化鋅管

發布消息時候:2020-08-27 16:10:31     網頁瀏覽:2180

AMCOM是全球半導體微波設計領先企業,是機器設備/MMIC封裝,功能模塊組裝和RF/DC檢測領域的專家,AMCOM的產品涵蓋功率FET,MMIC功率放大器及其帶有rf射頻和直流電連接器的高功率放大器功能模塊。AMCOM離散工作效率GaNHEMT頻射晶胞管必備非常實用的線狀和帶寬其優勢,所以能多方面表現非常好的高馬力致密計算和的輸出工作效率。

GaN是一個種比較增強的氧化物,具更強的分子鍵、高的熱導率、極高的電離度和不錯的普通機械增強性,這致使GaN電子元器件比Si和GaAs含有更強的抗福射性能。與此同時,GaN就是一種高溶點、高導熱性性的涂料。GaN功效電子元器件通暢以SiC為襯底,享有不錯的熱導率,以至于GaN額定功率元器件封裝體現了較高的結溫順溫度過高任務水平。

GaN高電子元器件知識率尖晶石管(HEMT)作罷為5G大基站天線馬力拖動器的主打侯選方法,鑒于其本身的高穿透輸出工作功率、高馬力強度、大傳輸速率和便捷率,已變為5 G移動基站第一選擇半導體器件技術。

杭州市立維創展科技亚洲一区二区三区在线-欧美一二区-欧美亚洲一区-欧美激情一区AMCOM代理商商靠譜保證AMCOM的產品系列表有:微波射頻尖晶石管、MMIC熱效率調小器、比調調小器功能模組、聯通寬帶調小器、高熱效率調小器功能模組、帶RFDC接連器的高電工作效率變小器摸塊和低燥音變小器,電工作效率變小器,觸點開關,衰減器,移相器并且上/下側直流變頻空調器的訂制等,車輛原裝機出口,效果能保證,感謝咨訊。

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 AMCOM.jpg

離散電率GaN HEMT

模板

頻率(GHz)

最大頻率(GHz)

增益(dB)

P1聲貝(dBm)

峰值(dBm)

偏差(V)

AM050WN-CU-R

整流電

6

16.5

41.7

43

-14

AM100WN-CU-R

直流變壓器電

6

14

44.5

46

-14

AM025WN-BI-R

直流電源電

8

16

38.9

40

-14

AM012WN-BI-R

電流電

10

17

36.1

37

-14

AM005WN-BI-R

電流電

12

15

32

33.5

-14

AM012WN-00-R

整流電

15

22

36.1

37.7

-14

AM025WN-00-R

直流電壓電

15

21

38.9

40.5

-14

AM050WN-00-R

直流電電

15

20

41.7

43.3

-14

AM100WN-00-R

直流電壓電

15

19

44.5

46.1

-14

AM005WN-00-R

直流電電

18

23

32

33.4

-14


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