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發布消息時候:2020-08-27 16:10:31 網頁瀏覽:2180
AMCOM是全球半導體微波設計領先企業,是機器設備/MMIC封裝,功能模塊組裝和RF/DC檢測領域的專家,AMCOM的產品涵蓋功率FET,MMIC功率放大器及其帶有rf射頻和直流電連接器的高功率放大器功能模塊。AMCOM離散工作效率GaNHEMT頻射晶胞管必備非常實用的線狀和帶寬其優勢,所以能多方面表現非常好的高馬力致密計算和的輸出工作效率。
GaN是一個種比較增強的氧化物,具更強的分子鍵、高的熱導率、極高的電離度和不錯的普通機械增強性,這致使GaN電子元器件比Si和GaAs含有更強的抗福射性能。與此同時,GaN就是一種高溶點、高導熱性性的涂料。GaN功效電子元器件通暢以SiC為襯底,享有不錯的熱導率,以至于GaN額定功率元器件封裝體現了較高的結溫順溫度過高任務水平。
GaN高電子元器件知識率尖晶石管(HEMT)作罷為5G大基站天線馬力拖動器的主打侯選方法,鑒于其本身的高穿透輸出工作功率、高馬力強度、大傳輸速率和便捷率,已變為5 G移動基站第一選擇半導體器件技術。
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離散電率GaN HEMT
模板 | 頻率(GHz) | 最大頻率(GHz) | 增益(dB) | P1聲貝(dBm) | 峰值(dBm) | 偏差(V) |
AM050WN-CU-R | 整流電 | 6 | 16.5 | 41.7 | 43 | -14 |
AM100WN-CU-R | 直流變壓器電 | 6 | 14 | 44.5 | 46 | -14 |
AM025WN-BI-R | 直流電源電 | 8 | 16 | 38.9 | 40 | -14 |
AM012WN-BI-R | 電流電 | 10 | 17 | 36.1 | 37 | -14 |
AM005WN-BI-R | 電流電 | 12 | 15 | 32 | 33.5 | -14 |
AM012WN-00-R | 整流電 | 15 | 22 | 36.1 | 37.7 | -14 |
AM025WN-00-R | 直流電壓電 | 15 | 21 | 38.9 | 40.5 | -14 |
AM050WN-00-R | 直流電電 | 15 | 20 | 41.7 | 43.3 | -14 |
AM100WN-00-R | 直流電壓電 | 15 | 19 | 44.5 | 46.1 | -14 |
AM005WN-00-R | 直流電電 | 18 | 23 | 32 | 33.4 | -14 |