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公布的準確時間:2018-07-09 10:26:06 瀏覽器:1842
NPT2010 GaN HEMT是一種款造成DC-2.2 GHz工作上優化系統的寬帶網絡晶胞管。該電子器件設計的概念用作接連波,脈沖發生器和波形崗位,輸入輸出效率為100W(50 dBm),通過工業化標廢金屬瓷器芯片封裝,帶螺柱法蘭盤。相關載荷遷引數據顯示和非規則化仿真模型,若您有其余異議,請認識.我立維創展,.我會盡非常大全力為您服務。
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MACOM
NPT2010
氮化鎵48V,100W,DC-2.2 GHz HEMT
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68
NPT2010應用