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HMC219B就是一款超大中型通用型雙均衡性混頻器，進行8引腳超大中型pp塑料表貼打包封裝，帶外露焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單電源芯片徽波融合線路設計(MMIC)混頻器進行砷化鎵(GaAs)輕金屬半導體材料場效用晶胞管(MESFET)加工制作工藝 制造技術，免外部鏈接電氣元件或匹配好線路設計。該元器件該用作頻率范圍之內為2.5 GHz至7.0 GHz的上變頻式柜器、下變頻式柜器、雙相幅度調制器或相位特別器。 立維創展HMC219B選擇經過了優化調整的巴倫結構的，能提供優異的本振(LO)至頻射(RF)隔離及LO至中頻(IF)隔離效能。復合RoHS標準規定的HMC219B無須線焊，與高余量表貼制造廠技術水平兼容。MMIC效能不穩可從而提高系統化事業效果并確定復合HiperLAN、U-NII和ISM相關法律法規必須。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC219BMS8GE HMC219BMS8GETR	2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混頻器	現貨	98

HMC219BMS8GEapp

• 微波無線電
• 高性能無線電局域網(HiperLAN)和免執照國家信息基礎設施(U-NII)

• 工業、科研和醫療(ISM)

HMC219BMS8GE優勢和特點

• 轉換損耗：9 dB（典型值）
• LO至RF隔離：40 dB（典型值）
• LO至IF隔離：35 dB（典型值）
• RF至IF隔離：22 dB（典型值）
• 輸入IP3：18 dBm（典型值）
• 輸入P1dB：11 dBm（典型值）
• 輸入IP2：55 dBm（典型值）
• 無源雙平衡拓撲結構
• 8引腳、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封裝

HMC219BMS8GE結構圖