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JP503AS低剖面,高效能3dB分層合體器原裝機庫存量

分享時段:2020-04-01 08:51:37     閱讀:1777

JP503AS是一個低剖面,高性能的3dB混合耦合器在一個易于使用,制造友好的表面安裝包。它是為W-CDMA和其他3G應用而設計的。JP503AS是為平衡放大器、可變移相器和衰減器、低噪聲放大器、信號分配而設計的,是無線工業日益增長的小型印刷電路板和高性能需求的理想解決方案。零件經過嚴格的鑒定測試,并使用熱膨脹系數(CTE)與常見基板(如FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺)兼容的材料制造。采用6/6符合RoHS標準的浸錫處理。

JP503AS低剖面,高性能3dB混合耦合器原裝庫存

JP503AS特性:

2.0–2.3千兆赫。

3G平率

低材料耗費

高消毒度

90°正交

表明貼裝

磁帶和卷盤

無鉛

100%測試

JP503AS首要規格

頻率(GHZ):2.0 - 2.3

效率(W):25

回波消耗的資金(dB):20.8

放入耗損率(dB):0.30

西安市立維創展技術有局限廠家Anaren品脾的一級代理經銷處商,主耍出具貼片結合解耦器、巴倫箱式變壓器、網絡延時線、專向解耦器、Doherty合路器、功分器、微蜂窩型藕合器、 RF Crossovers服務,服務原裝機存貨,極高的價格優缺點,認可管理咨詢

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