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發部周期:2019-02-22 10:24:49 手機瀏覽:2633
Wolfspeed的CGHV96100F2是氧化硅(SiC)襯底上的氮化鎵(GaN)高手機遷出率氯化鈉晶體管(HEMT)。與另外的方法相比之下,這一種GaN內部搭配(IM)FET都具有卓越的最大功率增添高效率。與硅或砷化鎵相比之下,GaN含有非常好的的性,包涵較高的穿透交流電壓,較高的達到飽和狀態電子漂移強度和較高的導熱性率。與GaAs晶胞管差距,GaN HEMT還展示 很大的瓦數規格和更寬的上行寬帶。該IM FET應用金屬質/陶瓷制品卡箍封裝,具備極佳的電器設備和性溫能。
特征
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品牌
型號
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庫存
CREE
CGHV96100F2
1周
320
| 頂值輸出電壓電率 | 100W | |
|---|---|---|
| app | Lk線/ Sk線/ Xk線/ Ck線/ Kuk線 | |
| 明顯的熱率增添率PAE | 45% | |
| 一般工作電壓(PSAT) | 145瓦 | |
| 耗油率收獲 | 10聲音分貝 | |
| 運轉電流 | 40 V | |
| 頻次 | 7.9 - 9.6 GHz | |
| 標簽印刷性質 | 輪緣 | |
| 內外部連接 | 是 - 50Ω | |
示意圖
