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AM005WN-BI-G-R/AM005WN-BI-R分立頻射晶胞管 經銷商現貨交易

發表時候:2019-02-20 14:32:24     瀏覽訪問:1707

說明
AMCOM的AM005WN-BI-R不是個分立的GaN/SiC HEMT,總門寬為0.5毫米(mm)。它不是個瓷器廠家裝封類型,上限工做12千兆赫。Bi系例分為特定方案的瓷器廠家裝封類型,有帶回彎(Bi-G)或直(Bi)引線,分為放到式使用方案。包底邊的法蘭盤互相做為直流變壓器一定接地線、微波射頻一定接地線和熱綠色通道。本要素遵循RoHS。

品牌 型號 貨期 庫存
AMCOM AM005WN-BI-G-R
AM005WN-BI-R
1周 100
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特征
高達12GHz的高頻操作
增益=15db,p5db=33.5dbm,pae=51%,漏極=56%@3GHz
表面安裝
有郊排熱的框架


應用
高動態接收器
移動無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
試驗儀器
軍事
擾亂機


示意圖

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