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CGHV40180F大功率氮化鎵功放200W
CGHV40180F大功率氮化鎵功放200W
重要的性能指標

功率:180-250W峰值

次數使用范圍:DC-2.0GHz收獲: 24dB工作上額定電壓: 50V封裝形式:Pill丸式、法蘭盤

超低價  訂貨周期:2-3周


品牌:CREE

成品情況簡單介紹

可以二極管封裝的方式 :CGHV40180P   CGHV40180F


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Frequency Min
Frequency Max
Peak Output Power
Gain
Efficiency
Operating Voltage
Form
Package Type
CGHV40180P




Yes
GaN on SiC
DC
2 GHz
200 W
24 dB
70%
28 V / 50 V
Packaged Discrete Transistor
Pill
CGHV40180F-AMP3




Yes
GaN on SiC
0.96 GHz
1.25 GHz
200 W
24 dB
70%
28 V / 50 V
Evaluation Board
Flange
CGHV40180F




Yes
GaN on SiC
DC
2 GHz
200 W
24 dB
70%
28 V / 50 V
Packaged Discrete Transistor
Flange


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